[1]李 寒,曾 雄,徐凝华,等.超声扫描在IGBT 模块质量分析中的应用[J].控制与信息技术(原大功率变流技术),2016,(02):30-34.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2016.02.007]
 LI Han,ZENG Xiong,XU Ninghua,et al.Application of Acoustic Scanning Technology in Quality Analysis of IGBT Module[J].High Power Converter Technology,2016,(02):30-34.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2016.02.007]
点击复制

超声扫描在IGBT 模块质量分析中的应用()
分享到:

《控制与信息技术》(原《大功率变流技术》)[ISSN:2095-3631/CN:43-1486/U]

卷:
期数:
2016年02期
页码:
30-34
栏目:
电力电子器件
出版日期:
2016-04-05

文章信息/Info

Title:
Application of Acoustic Scanning Technology in Quality Analysis of IGBT Module
文章编号:
2095-3631(2016)02-0030-05
作者:
李 寒曾 雄徐凝华贺新强冯会雨李亮星
(株洲中车时代电气股份有限公司,湖南株洲 412001)
Author(s):
LI Han ZENG Xiong XU Ninghua HE Xinqiang FENG Huiyu LI Liangxing
( Zhuzhou CRRC Times Electric Co., Ltd., Zhuzhou, Hunan 412001, China )
关键词:
超声扫描IGBT 模块缺陷检测封装
Keywords:
SAM IGBT modules defect inspection package
分类号:
TN605;TG453+.9
DOI:
10.13889/j.issn.2095-3631.2016.02.007
文献标志码:
A
摘要:
文章从超声扫描检测技术的原理出发,详细叙述了不同模式的超声扫描对IGBT 模块的无损检测功能。超声扫描检测技术不仅可发现IGBT 模块中的空洞、脱附等界面潜在缺陷,还可以采用表面平整度分析、模块内部构造模拟、厚度测量等方法发现IGBT 模块的结构缺陷,这些缺陷的表征对评估IGBT 模块质量具有重要意义。
Abstract:
It introduced the principle of acoustic scanning microscope (SAM), described the undamaged detection functions of SAM in IGBT modules with different modes. With this technology, it not only can discover interface defects (like hole and detachment) easily, but also can find structure defects by analysis of surface evenness, modulation of internal composition and thickness measurement, and the characterization of defects are very important to quality assessment in IGBT modules.

参考文献/References:

[1] WILLAM W S, RONALD P C. Power Electronic Modules:Design and Manufacture [M]. Boca Raton: CRC Press, 2004.
[2] 吴煜东,常桂钦,彭勇殿,等. 焊层空洞率对IGBT 模块热应力的影响[J]. 大功率变流技术,2014(1):17-23.
[3] 黄晓鹏,张继静. 超声扫描检测的应用工艺研究[J]. 电子工业专用设备,2013(6):13-17.
[4] 蒋长顺,谢扩军,徐海峰,等. 封装中的界面热应力分析[J]. 电子与封装,2006,6(8):23-26.

相似文献/References:

[1]陈明锋,雷万钧,付翀丽,等.T 型三电平结构SVG 的损耗研究[J].控制与信息技术(原大功率变流技术),2015,(04):56.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2015.04.011]
 CHEN Mingfeng,LEI Wanjun,FU Chongli,et al.Research on the Loss of Three-level T-type Inverter in SVG[J].High Power Converter Technology,2015,(02):56.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2015.04.011]
[2]王彦刚,戴小平,吴义伯,等.IGBT 模块功率损耗的产生机理、计算及模拟[J].控制与信息技术(原大功率变流技术),2015,(02):62.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2015.02.013]
 WANG Yangang,DAI Xiaoping,WU Yibo,et al.The Mechanism, Calculation and Simulation of Power Loss for IGBT Modules[J].High Power Converter Technology,2015,(02):62.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2015.02.013]
[3]方 杰,彭勇殿,窦泽春,等.高压IGBT 模块中AlN 衬板的局部放电特性研究[J].控制与信息技术(原大功率变流技术),2015,(05):38.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2015.05.008]
 FANG Jie,PENG Yongdian,DOU Zechun,et al.Research on Partial Discharge Behavior of AlN Substrate in High Voltage IGBT Module[J].High Power Converter Technology,2015,(02):38.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2015.05.008]
[4]李世平,奉琴,陈彦,等.IGBT模块中续流二极管关断过程失效机理分析[J].控制与信息技术(原大功率变流技术),2014,(05):28.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2014.05.006]
 LI Shiping,FENG Qin,CHEN Yan,et al.Analysis of Turn-off Failure Mechanism for the Freewheeling Diode in IGBT Module[J].High Power Converter Technology,2014,(02):28.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2014.05.006]
[5]文 驰,李保国,熊 辉,等.IGBT 模块杂散电感分析与仿真[J].控制与信息技术(原大功率变流技术),2016,(04):30.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2016.04.006]
 WEN Chi,LI Baoguo,XIONG Hui,et al.Analysis and Simulation of Stray Inductance of IGBT Module[J].High Power Converter Technology,2016,(02):30.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2016.04.006]
[6]徐凝华,吴义伯,刘国友,等.混合动力/电动汽车用IGBT功率模块的最新封装技术[J].控制与信息技术(原大功率变流技术),2013,(01):1.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2013.01.001]
 XU Ning-hua,WU Yi-bo,LIU Guo-you,et al.The Latest Packing Technology for IGBT Module in HEV/EV Application[J].High Power Converter Technology,2013,(02):1.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2013.01.001]
[7]吴煜东,万正芬,彭勇殿.高压IGBT模块AlN覆铜衬板特性研究[J].控制与信息技术(原大功率变流技术),2012,(05):1.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2012.05.001]
 WU Yu-dong,WAN Zheng-fen,PENG Yong-dian.The Investigation of Copper Metalized AlN for High Voltage IGBT Module[J].High Power Converter Technology,2012,(02):1.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2012.05.001]
[8]袁 勇,等.主功率端子压接技术在IGBT 模块高集成设计中的应用研究[J].控制与信息技术(原大功率变流技术),2017,(01):39.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2017.01.008]
 YUAN Yong,XIONG Hui,et al.Research on Pressure-contact Technology of Power Terminals for the Design of High-integration IGBT Module[J].High Power Converter Technology,2017,(02):39.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2017.01.008]
[9]常桂钦,等.基板拱度类型对IGBT 模块应力的影响[J].控制与信息技术(原大功率变流技术),2017,(01):45.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2017.01.009]
 CHANG Guiqin,DOU Zechun,et al.Effects of Baseplate Bow Type on Stress of IGBT Module[J].High Power Converter Technology,2017,(02):45.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2017.01.009]
[10]方杰,常桂钦,彭勇殿,等.基于ANSYS的大功率IGBT模块传热性能分析[J].控制与信息技术(原大功率变流技术),2012,(02):16.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2012.02.002]
 FANG Jie,CHANG Gui-qin,PENG Yong-dian,et al.Thermal Performance Analysis of High-power IGBT Module Based on ANSYS[J].High Power Converter Technology,2012,(02):16.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2012.02.002]

备注/Memo

备注/Memo:
收稿日期:2015-06-02
作者简介:李寒(1986-),女,工程师,主要从事IGBT 功率器件封装工艺研究工作。
更新日期/Last Update: 2016-05-17