[1]谢敬仁,洪小聪,黄树,等.SiC 功率器件在并网光伏逆变器中的应用研究[J].控制与信息技术(原大功率变流技术),2016,(05):31-35.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2016.05.006]
　XIE Jingren,HONG Xiaocong,HUANG Shukun,et al.Application of SiC Device in Grid-connected Photovoltaic Inverter[J].High Power Converter Technology,2016,(05):31-35.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2016.05.006]
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SiC 功率器件在并网光伏逆变器中的应用研究()
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《控制与信息技术》（原《大功率变流技术》）[ISSN:2095-3631/CN:43-1486/U]

卷:
期数:
2016年05期
页码:
31-35
栏目:
变流与控制
出版日期:
2016-10-05

文章信息/Info

Title:
Application of SiC Device in Grid-connected Photovoltaic Inverter
文章编号:
2095-3631(2016)05-0031-05
作者:
谢敬仁 1;  洪小聪1; 黄树1; 彭勇殿2; 常桂钦2
（1. 清源科技（厦门）有限公司，福建厦门 361006；2. 株洲中车时代电气股份有限公司，湖南株洲 412001）
Author(s):
XIE Jingren1;  HONG Xiaocong1; HUANG Shukun1; PENG Yongdian2; CHANG Guiqin2
( 1. Clenergy (Xiamen) Technology Co.,Ltd., Xiamen, Fujian 361006, China; 2. Zhuzhou CRRC Times Electric Co.,Ltd., Zhuzhou,Hunan 412001,China )
关键词:
碳化硅功率器件; 转化效率; 并网光伏逆变器
Keywords:
Silicon Carbide device;  transferring efficiency;  grid-connected inverter
分类号:
TN304.2+4；TM464
DOI:
10.13889/j.issn.2095-3631.2016.05.006
文献标志码:
A
摘要:
作为第三代半导体材料，SiC 材料在禁带宽度、击穿场强、电子饱和速度、热导率等方面，比第一、二代半导体材料具有明显的优势。为了研究SiC 二极管及混合功率模块在并网光伏逆变器中的应用优势，本文分析了其工作特性并开展了SiC 二极管开关损耗及并网光伏逆变器转化效率的实验测试。结果表明，SiC 二极管的开关损耗远低于Si 二极管的，混合功率模块的恢复能耗大大降低，将其应用于并网光伏逆变器电路中可以有效提高并网光伏逆变器整机效率。
Abstract:
As the third generation of semiconductor materials, Silicon Cabide(SiC) has more obvious advantages than the first and second generation of semiconductor materials, such as forbidden band width, breakdown voltage, electron saturation velocity, thermal conductivity, etc. In order to study the application advantages of SiC diodes and hybrid IGBT modules in photovoltaic inverter, it analyzed the working characteristics and carried out experiments on switching loss of SiC diode and transferring efficiency of grid-connected photovoltaic inverter. Experimental results show that switching loss of the SiC diode is much lower than that of the Silicon diode, which lead to big reduction of hybrid module recovery energy. Application of hybrid module in grid-connect photovoltaic inverter circuit can effectively improve its efficiency.

参考文献/References:

［1］张玉明，汤晓燕，张义门． SiC 功率器件的研究和展望[J]．电力电子技术，2008，42(12)：60-62.
［2］MILLAN J, GODIGNON P, PERPINA X,et al. A survey of wide bandgap power semiconductor devices［J］. IEEE Transactions on Power Electronics, 2014, 29(5)：2155-2163.
［3］Cree. Achieve Higher Efficiency with Silicon Carbide Power Devices［Z/OL］. 2010-06［2016-05-01］.http://www.cree.com/ products/power.
［4］胡光钺，陈敏，陈烨楠，等．基于SiC MOSFET 户用光伏逆变器的效率分析研究［J］. 电源学报，2014，11(6)：53-58.
 ［5］ 刘学超， 黄建立， 叶春显． 基于新型1 200 V 碳化硅(SiC) MOSFET 的三相双向逆变器的研究［C］// 中国电源学会第二十一届学术年会论文集，2015：1741.
［6］HUANG P W，LUO J Y. 基于混合PN/ 肖特基结构的新一代600 V SiC 肖特基二极管［J］. 电子设计技术，2006 (11)：92-97.
［7］张兴，曹仁贤. 太阳能光伏并网发电及其逆变控制［M］. 北京：机械工业出版社，2011.
［8］BIELA J, SCHWEIZER M, WAFFLER S，et al. SiC versus Si- Evaluation of Potentials for Performance Improvement of Inverter and DC-DC Converter Systems by SiC Power Semiconductors［J］. IEEE Transactions on Industrial Electronics, 2011, 58(7)：2872- 2882.

备注/Memo

备注/Memo:
收稿日期：2016-05-10
作者简介：谢敬仁(1964-)， 男，高级工程师，从事太阳能控制器、光伏逆变器技术研究工作。
基金项目：国家863 计划项目（2014AA052402）
更新日期/Last Update: 2016-11-01