[1]唐 威,忻 力,魏海山,等.SiC 混合IGBT 器件应用研究[J].控制与信息技术(原大功率变流技术),2015,(02):40-43.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2015.02.008]
 TANG Wei,XIN Li,WEI Haishan,et al.Application Research on SiC Hybrid IGBT Devices[J].High Power Converter Technology,2015,(02):40-43.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2015.02.008]
点击复制

SiC 混合IGBT 器件应用研究()
分享到:

《控制与信息技术》(原《大功率变流技术》)[ISSN:2095-3631/CN:43-1486/U]

卷:
期数:
2015年02期
页码:
40-43
栏目:
变流与控制
出版日期:
2015-04-05

文章信息/Info

Title:
Application Research on SiC Hybrid IGBT Devices
文章编号:
2095-3631(2015)02-0040-04
作者:
唐 威忻 力魏海山陈玉其欧阳柳张东辉
南车电气技术与材料工程研究院
Author(s):
TANG WeiXIN LiWEI HaishanCHEN YuqiOUYANG LiuZHANG Donghui
CSR Research of Electrical Technology & Material Engineering
关键词:
SiC 功率器件混合IGBT驱动技术功率试验
Keywords:
SiC power devices hybrid IGBT drive technology power experiment
分类号:
TN304.2+4
DOI:
10.13889/j.issn.2095-3631.2015.02.008
文献标志码:
A
摘要:
SiC 功率器件具有高频、高效率、高功率、耐高温、抗辐射等优点。文章介绍了目前SiC 功率器件应用情况,阐述了SiC pn 结肖特基势垒(JBS)、SiC-MOSFET 以及SiC 混合IGBT 的特性,分析了应用于1 700 V SiC混合IGBT 的可编程驱动技术;最后简述了SiC 模块功率试验情况。
Abstract:
SiC power devices have the advantages of high frequency, energy saving, high power, high temperature resistance and radiation hardening. The current application of SiC was introduced, the characteristic of SiC-JBS, SiC-MOSFET and SiC hybrid IGBT were expounded, and the programmable drive technology used in 1 700 V SiC hybrid IGBT was analyzed. Finally, it introduced the power experiment of SiC hybrid IGBT module.

参考文献/References:

[1]吴昊,杨霏,于坤山. 1 000 V 4H-SiC JBS 功率二极管元胞[J].微纳电子技术,2013(11):695-700.
[2]殷丽,王传敏. 超低导通电阻RON的SiC 沟槽器件[J]. 电力电子,2012(5):49-52.
[3]黄松元 . 质子辐照技术在软恢复二极管中的应用[J]. 机车电传动,2004(3):26-28.
[4]张海涛,张斌. 快速软恢复二极管的发展现状[J]. 世界电子元器件,2001(4):29-33.
[5]WANG Li, HU Xiaobu, XU Xiangang, et al. Synthesis of High Purity SiC Powder for High-resistivity SiC single Crystals Growth[J].Journal of Materials Science & Technology, 2007(1):118-122.

备注/Memo

备注/Memo:
收稿日期:2014-11-10
作者简介:唐威(1982-),男,工程师,主要从事大功率半导体器件驱动研究工作。
更新日期/Last Update: 2016-01-06