2017年第5期导读
发布人:xiao 发布时间:10/9/2017 9:35:28 AM  浏览次数:476次
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1 、IGBTs: Concept, Development and New Structures
  本文作者剑桥大学Florin Udrea 教授是英国皇家工程院院士、功率半导体器件和固态传感器领域的著名学者,从事IGBT 前沿技术研究工作超过二十年。在文中,Florin 教授以其独特的视角,深入浅出地阐述了IGBT 技术的原理、发展历史、面临的技术挑战、现有器件结构及前景。通过阅读该文,不论对于IGBT 行业的资深工程师,还是刚入行的新人或仍在校的学生,相信都能有所启发与帮助。

2、Influence of Device Design Parameters on Static and Dynamic Performances of Trench Gate IGBT
  对于沟槽栅IGBT 而言,任何一个主要设计参数的变化都将会“牵一发而动全身”。作者系统梳理了沟槽栅IGBT 的结构参数与性能的对应关系,阐述了如何根据不同的应用需求对结构设计进行调整。该论文可以为IGBT 专业设计人员提供有价值的参考,对于IGBT 制造、测试、应用等相关从业人员也会有所帮助。

3、大功率IGBT 器件并联均流研究
  面向智能电网、机车牵引等应用领域的特大功率IGBT 模块的并联芯片数量可达到50 个以上、并联芯片面积将超过100 cm2,其芯片均流对于IGBT 模块的SOA 能力和热均衡分布而言至关重要。作者通过仿真与实测,定量分析了VGEth 和VCEON 等芯片参数对子单元动、静态并联均流的影响,为器件筛选和应用设计人员都提供了不错的借鉴和参考。

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