2017年第1期导读
发布人:xiao 发布时间:3/9/2017 5:27:44 PM  浏览次数:412次
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1、一种适用于输入电压波动较大应用场合的逆变器
  级联型quasi-Z 源逆变器适用于输入电压波动较大的场合,能够提升电压等级和功率等级、有效降低开关器件的电压应力和开关频率。《线电压级联型quasi-Z源逆变器研究》一文设计了一种级联型quasi-Z 源逆变器,其基于等效开关电路模型提出了一种改进型电压、电流双闭环系统,继承了传统三相控制理论的优点,实现了对每个模块的协同控制;所采用的虚拟电网磁链定向技术省掉了网侧电压传感器,能有效克服电网噪声干扰,无需回避开关时刻,且适用于线电压级联的独特拓扑结构,大大提高了系统的并网可靠性。

2、一种快而精准的电力系统谐波电流实时检测算法

  作为有源滤波器的核心部分,谐波电流检测环节的性能直接影响滤波器的谐波抑制效果。针对有源滤波器的变步长最小均方(LMS)算法在谐波电流检测方面存在的不足,《有源滤波器中改进型自适应谐波电流检测算法》一文提出一种改进型算法,其不仅收敛速度快,而且稳态误差小。

3、SiC MOSFET芯片设计关键技术及发展趋势
  SiC 材料可直接通过热氧化法生长高质量SiO2 薄层,因此非常适于制造垂直的功率MOSFET 器件,不仅可沿用Si IGBT 器件的驱动设计,而且同样可并联使用以承载较大电流。由于SiC材料参数与Si 材料的差异较大,存在诸如栅氧化层电场集中等特有现象,因此在芯片设计时需加以特殊考量。如何实现?《 SiC MOSFET芯片设计关键技术及发展趋势》以1 200V SiC MOSFET为例,从芯片基本元胞入手,给出了优化方案,并分析了SiC MOSFET技术未来的发展趋势。

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