2016年第5期导读
发布人:xiao 发布时间:12/2/2016 10:34:56 AM  浏览次数:399次
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1 一种高可靠性全SiC功率模块的技术亮点
  当前功率半导体封装业界最热门的技术是什么,透过Packaging Consideration and Development for Fully Sintered SiC Power Module(《
全烧结型SiC功率模块封装设计与研制 》)一文可以得到比较全面的了解。文章介绍了一种用于高可靠性领域(如航天)的半桥功率模块,其结合运用了全SiC芯片、银烧结、无键合线连接、低电感柔性PCB互连、弹簧接触等技术,同时详细描述了各项技术的应用情况以及试验对比数据。

2 SiC
功率器件应用现状及发展趋势

  宽禁带SiC材料相比Si材料具有更高的饱和载流子速率、禁带宽度、热导率和临界击穿场强,加之其优异的耐高温和辐射特性,成为最有希望取代Si的下一代半导体器件材料。《 SiC 功率器件应用现状及发展趋势 》从碳化硅(SiC)等宽禁带半导体材料特性出发,全面总结了SiC 二极管、MOSFET、IGBT、晶闸管、JFET等多种SiC 功率器件的开发及市场化现状,并对SiC 器件在开关电源、电动汽车、新能源发电、轨道交通和智能电网等不同领域的应用现状和发展前景进行了分析和介绍。


3 适用于高压、大功率领域的SiC GTO晶闸管

  SiC GTO晶闸管具有强大的电流处理能力、高电压等级、低漏电流和快速关断的特性,而且还具有比SiC MOSFET更低的导通电阻,比SiC IGBT 更低的导通压降和功耗以及更宽的工作温度范围。《 SiC GTO晶闸管技术现状及发展 》一文就SiC GTO晶闸管的研究历程和应用现状进行分析;同时介绍了碳化硅发射极关断晶闸管(ETO)的正向导通特性和正向阻断特性,并通过实验验证了其无缓冲关断的优点。


4 如何防范SiC变流器系统内杂散参数对器件高频应用的负面影响?
  SiC MOSFET 开关速度较快,而变流器系统内的杂散电感又不可避免,其引发的关断瞬间过电压可能会高于元件耐压而导致击穿现象的发生。对此,《
SiC MOSFET模块高频吸收电路研究 》提出了一种SiC MOSFET的开关小信号模型,并在频域条件下研究了杂散参数对器件高频应用的影响、评估了吸收电容对过电压的抑制效果,归纳出高频吸收参数的选用法则。

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